LOW VF沟槽式肖特基芯片：

沟槽工艺与平面工艺的区别

平面肖特基二极管具有优异的高频特性和较低的正向开启电压,这些独特的性质使得其在太阳能电池,开关电源、汽车以及手机等多个领域都有着巨大的应用潜力。但是,在反向偏压下,镜像力导致的势垒降低效应,导致了平面肖特基二极管阻断能力差的缺点。TMBS结构的出现很好地解决这个问题,其主要有两个肖特基结相结合的双势垒金属肖特基结二极管器件、利用PN结与肖特基结结合的含PN结构的肖特基二极管,以及利用金属-氧化物-半导体结构和肖特基结结合的沟槽式势垒肖特基二极管(TMBS),并且TMBS由于优异的高频特性及结构参数的易调性,受到了更为广泛的关注。

沟槽芯片

优势 具有较低的动态内阻、VF与IR的易调性可以满足各种不同方案的使用需求。